PRAM內(nèi)存與DRAM內(nèi)存的區(qū)別
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發(fā)表時間2017-10-11 10:25:32
就目前而言，國內(nèi)大的晶圓代工廠當屬中芯國際，除了處理器業(yè)務范圍之外，他們現(xiàn)在又打算把手伸向存儲芯片行業(yè)。2014年9月，中芯國際成功自主研發(fā)了采用38nm工藝的NAND閃存芯片。
現(xiàn)如今，中芯國際與Crossbar公司成功簽署了一項合作協(xié)議。協(xié)議的內(nèi)容包括，中芯國際將使用40nm工藝為Crossbar代工PRAM阻變式存儲器芯片，這項協(xié)議的簽署代表中芯國際成功進軍下一代內(nèi)存產(chǎn)業(yè)。
PRAM具有高性能和低功耗的優(yōu)點，未來還可以用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、三防平板電腦、工業(yè)市場等環(huán)境下。目前Intel和三星等行業(yè)領導者都在大力推進PRAM內(nèi)存的發(fā)展。
PRAM阻變式存儲器，亦可稱之為相變內(nèi)存，其使用硫化物玻璃進行制造，芯片的特點在于，硫化物玻璃受熱后可在晶體和非晶體之間進行形態(tài)的變化，不同的狀態(tài)下，其電阻亦不相同，利用這項特性，我們可以進行數(shù)據(jù)的存儲。
與DRAM相比，PRAM不僅寫入速度上快30倍，同時，壽命也比DRAM高出10倍以上。而且PRAM大的優(yōu)點在于設備斷電后依然可以保存數(shù)據(jù)，這樣看來，PRAM不僅僅可以代替內(nèi)存，同時還可取代閃存。
綜上所述，相比大家對PRAM與DRAM也有一定的了解，南京研維專業(yè)于加固平板電腦、帶網(wǎng)口三防平板電腦等，歡迎大家前來咨詢！
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PRAM具有高性能和低功耗的優(yōu)點，未來還可以用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、三防平板電腦、工業(yè)市場等環(huán)境下。目前Intel和三星等行業(yè)領導者都在大力推進PRAM內(nèi)存的發(fā)展。
PRAM阻變式存儲器，亦可稱之為相變內(nèi)存，其使用硫化物玻璃進行制造，芯片的特點在于，硫化物玻璃受熱后可在晶體和非晶體之間進行形態(tài)的變化，不同的狀態(tài)下，其電阻亦不相同，利用這項特性，我們可以進行數(shù)據(jù)的存儲。
與DRAM相比，PRAM不僅寫入速度上快30倍，同時，壽命也比DRAM高出10倍以上。而且PRAM大的優(yōu)點在于設備斷電后依然可以保存數(shù)據(jù)，這樣看來，PRAM不僅僅可以代替內(nèi)存，同時還可取代閃存。
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